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在近来上海Semicon大会上，中微半导体创始人尹志尧向全球宣告：我国自主研制的ICP双反响台刻蚀机Primo Twin-Star®打破0.2埃（0.02纳米）精度，将芯片制作的微观加工能力推至原子级。
这一刻蚀精度不仅是硅原子直径（2.5埃）的十分之一，更相当于人类头发丝的五百万分之一，尹志尧直言：“20年前回国时，我就想证明一件事——我国工程师的创造力不输任何人。”
“芯片制作的精度比赛，实质是原子级的‘雕琢战役’。”中微公司技能团队在发布会上展现的多个方面数据闪现，Primo Twin-Star®在200片硅片的重复性测验中，氧化硅、氮化硅和多晶硅的刻蚀速度差异别离仅为每分钟0.9埃、1.5埃和1.0埃。
两个反响台之间的均匀差异小于0.09%，比单反响台内部差异低一个数量级，这种稳定性意味着，即便在5纳米以下制程中，也能完成百万片晶圆的均匀加工。
比照之下，美国使用资料公司最新一代刻蚀机的精度仍停留在0.35埃，且需依靠进口超纯气体保持稳定性。
更让海外同行惊叹的是，中微首创的“双反响台协同操控技能”将设备体积缩小30%，单台产能提高40%，直接破解了高端芯片量产的本钱困局，韩国《电子时报》感叹：“我国刻蚀机的突进速度，让摩尔定律的‘裁判权’初次向东方歪斜。”
“当年美国搭档说，脱离他们的技能我国十年也造不出刻蚀机，今日这个预言成了笑线岁的尹志尧抛弃硅谷百万年薪，带着15人团队和满腔热血回国创业。
彼时全球刻蚀机商场被使用资料、泛林和东京电子三家独占，我国半导体厂连28纳米设备都要看人脸色。
中微团队挤在上海牛顿路的试验室里，用三年时刻霸占反响腔室气体均匀性操控难题，2007年首台国产介质刻蚀机面世，功率比海外竞品高出30%。
更硬核的是，团队从零开始树立专利防火墙，在随后的跨国专利诉讼中，用600万页技能文档证明自主性，迫使使用资料撤诉，现在中微刻蚀机已完成100%国产化，零部件供应链彻底自主可控。
技能打破仅三天，工业端已掀起波涛，中芯世界宁波基地宣告，选用Primo Twin-Star®的5纳米试验线%；华为海思同步发动根据该设备的2纳米芯片规划验证。
资本商场更是用真金白银投票——中微股价单日暴升18%，带动国产设备板块市值激增3000亿元。
更深层的革新在资料范畴闪现，江苏某超导企业泄漏，中微订单使其高温超导带材产能激增5倍，本钱降至每米800元；四川精细加工厂为刻蚀机定制的磁体支撑结构，精度到达0.005毫米，拿下特斯拉卫星部件订单。
尹志尧在采访中着重：“咱们不是单点打破，而是拉动了一条高端制作工业链。”
当尹志尧在Semicon大会按下设备发动键时，大屏幕上跳动的0.02纳米数据，映照出我国半导体人的二十年行进。
从被禁运到全球领跑，从依靠进口到反向出口，中微的故事印证了一个真理：核心技能靠化缘是要不来的。
正如《天然》杂志的评语：“原子级的精度比赛，正在重塑全球科学技能权利的经纬线。”
而此时，那台刻蚀机的等离子体腔内，飞溅的不仅是氩离子，更是一个民族对技能主权的火热巴望，对此你们是怎么看的呢？